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氮化硅粉的晶胞參數和單質硅不一樣的,所以可以根據沉積的方法的不同,就可以生成氮化硅薄膜,也會產生相應的張力還有應力了,尤其是針對等離子體,可以增強化學氣相沉積技術時,能通過調節沉積參數來減少張力。先利用溶膠凝膠法制備出二氧化硅,然后同時利用碳熱還原法和氮化對其中包含特細碳粒子的硅膠進行處理后得到氮化硅納米線。硅膠中的特細碳粒子是由葡萄糖在1200-1350°C分解產生的。以上是我們為你介紹的相關的
氮化硅粉的晶胞參數和單質硅不一樣的,所以可以根據沉積的方法的不同,就可以生成氮化硅薄膜,也會產生相應的張力還有應力了,尤其是針對等離子體,可以增強化學氣相沉積技術時,能通過調節沉積參數來減少張力。先利用溶膠凝膠法制備出二氧化硅,然后同時利用碳熱還原法和氮化對其中包含特細碳粒子的硅膠進行處理后得到氮化硅納米線。硅膠中的特細碳粒子是由葡萄糖在1200-1350°C分解產生的。以上是我們為你介紹的相關的內容。
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